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IPD65R600E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD65R600E6
廠商型號

IPD65R600E6

功能描述

Metall Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

1.17442 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPD65R600E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 700V 7.3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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