IRF3205L中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書
IRF3205L規(guī)格書詳情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0m?
ID= 110A?
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產品屬性
- 型號：
IRF3205L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
現貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現貨有單必成 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
501142 |
免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯系 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
25264 |
絕對原裝正品全新進口深圳現貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 |
