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OMAP3515ECUS

OMAP3515andOMAP3503ApplicationsProcessors

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

OMAP3515ECUSA

OMAP3515andOMAP3503ApplicationsProcessors

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

OMAP3515ECUSA

ApplicationsProcessors

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PAW3515DB

USBOPTICALMOUSESINGLECHIP

PixartPixart Imaging Inc.

原相科技原相科技股份有限公司

PBSS3515E

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS3515E

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS3515F

15VlowVCEsatPNPtransistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapabilities ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandmuting ?Lowf

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS3515M

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ?Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS3515MB

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF3515L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 41A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
05+
TO-262
5000
原裝進口
詢價
IR
24+
TO-262
8866
詢價
IR
23+
TO-262
7600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-262
35890
詢價
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
IR
2020+
TO-262
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
詢價
IR
23+
TO-262-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
INFINEON
1503+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
詢價
IR
1923+
TO-262
6896
原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨
詢價
更多IRF3515L供應商 更新時間2025-6-4 14:27:00