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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount (IRF520NS)
? Low-profile through-hole (IRF520NL)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF520NS
- 功能描述:
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
D2PAK |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
992 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501292 |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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IR |
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INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
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詢價 |