IRF540ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF540ZS規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 26.5m?
ID = 36A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF540ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEO |
18+ |
D2-Pak |
85600 |
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IR |
2447 |
D2-PAK |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 |
