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IRF640NS

N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRateingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF640NS

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRF640NS

Advanced Process Technology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF640NS

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF640NS

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF640NS

200V N-Channel Power MOSFET;

MINOS

邁諾斯

MINOS

IRF640NS

200V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝; \n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開(kāi)關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF640NSPBF

Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF640NSPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRF640NSPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF640NSTRLPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    D2PAK

  • VDS max：

    200 V

  • RDS (on) @10V max：

    150 m?

  • ID @25°C max：

    18 A

  • QG typ @10V：

    44.7 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
D2-PAK
65400
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
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絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購(gòu)!
 詢價(jià)
IR
23+
TO-263
4920
原廠原裝正品
 詢價(jià)
IR
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TO263
30000
只做原裝正品
 詢價(jià)
IR(國(guó)際整流器)
2023+
N/A
4550
全新原裝正品
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2024+
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 詢價(jià)
IR(國(guó)際整流器)
24+
N/A
14613
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價(jià)
IR
2013+
TO-263
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主營(yíng)集成電路，一級(jí)分銷IR系列，現(xiàn)貨供應(yīng)IRF640NS，全新原裝正品，歡迎咨詢洽談。
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D2-PAK
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SOP/DIP
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更多IRF640NS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:20:00

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