IRF640S中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF640S |
| 功能描述 | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET |
| 文件大小 |
84.23 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 14:03:00 |
| 人工找貨 | IRF640S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF640S規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY?process. This technology matches and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on)= 0.150?
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO263 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-263 |
5825 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
詢價(jià) | ||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
5000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
ST |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
14+PBF |
TO-263 |
4000 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
2023+ |
3000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
