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IRF9530S

iscP-ChannelMosfetTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF9530SMD

P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS

SEME-LAB

Seme LAB

IRF9530SPBF

HEXFET?PowerMOSFET

FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeAndReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?P-Channel ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRF9530SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9530STRLPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9530STRLPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9530STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9530G

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9530G

PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-7.7A)

IRF

International Rectifier

IRFI9530G

PowerMOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF9530L

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 100V 12A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
1503+
TO-262
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就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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Vishay Siliconix
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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Vishay Siliconix
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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Vishay Siliconix
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TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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T0-220
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04+
原廠原裝
20000
全新原裝 絕對(duì)有貨
 詢價(jià)
更多IRF9530L供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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