IRFD9110中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFD9110 |
| 功能描述 | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| 文件大小 |
342.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Harris Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
HARRIS |
| 中文名稱 | Harris Corporation |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-11 23:00:00 |
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IRFD9110規(guī)格書詳情
Description
These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.
Features
? -0.6A and -07A, -80V and -100V
? rDS(ON) = 1.2? and 1.6Ω
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
? Related Literature
- TB334, Guldelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD9110
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
800 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
DIP4 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | |||
IR |
2016+ |
DIP-4 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
詢價(jià) | |||
IR |
25+23+ |
DIP |
16408 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DIP4 |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
DIP-4P |
38 |
詢價(jià) | |||
IR |
2023+ |
DIP-4 |
12500 |
全新原裝正品,優(yōu)勢價(jià)格 |
詢價(jià) |
