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IRFP250中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP250
廠商型號(hào)

IRFP250
功能描述

200V N-Channel MOSFET
文件大小

669.63 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-9 9:38:00
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IRFP250規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar, DMOS technology.

Features

? 32A, 200V, RDS(on)= 0.085?@VGS= 10 V

? Low gate charge ( typical 95 nC)

? Low Crss ( typical 75 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFP250

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 30 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
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