IRFR1010Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFR1010Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
Features
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR1010Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5750 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
DPAK |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
100 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
4500 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價 | ||
IR |
1816+ |
TO-252 |
6523 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-252 |
12000 |
VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
500866 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
詢價 |
