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IRFS4310

HEXFET Power MOSFET

Benefits ?WorldwideBestRDS(on)inTO-220 ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerS

IRF

International Rectifier

IRFS4310

Isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS4310

100V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝

\n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 快速開關(guān)\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFS4310PBF

HEXFET?Power MOSFET

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPow

IRF

International Rectifier

IRFS4310Z

100V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝

\n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFS4310Z

Advanced Process Technology

Features ●AdvancedProcessTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●Dynamicdv/dtRating ●175°COperatingTemperature ●FastSwitching ●RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax ●Lead-Free,RoHSCompliant ●AutomotiveQualified*

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFS4310Z

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS4310ZPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPo

IRF

International Rectifier

IRFS4310PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

IRF

International Rectifier

IRFS4310PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRFS4310TRLPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    D2PAK

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    7 m?

  • ID @25°C max：

    130 A

  • QG typ @10V：

    170 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
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6310
只做原廠渠道 可追溯貨源
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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IRF
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多IRFS4310供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 9:24:00

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