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IRG4IBC20KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KD

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC20KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KDPBF

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC20UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20UDPBF

2.5kV,60sinsulationvoltage

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconduction

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4IBC20KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，9A

  • 開關(guān)能量：

    340μJ（開），300μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    54ns/180ns

  • 測試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO220-FP

  • 描述：

    IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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