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IRGIB15B60KD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGIB15B60KD1
廠商型號(hào)

IRGIB15B60KD1

參數(shù)屬性

IRGIB15B60KD1 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 19A 52W TO220FP

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

326.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 9:30:00

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IRGIB15B60KD1規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC= 15A

· High Speed Switching

· Low Diode VF

APPLICATIONS

· Benchmark Efficiency for Motor Control.

· Industrial Drives

· Solar Inverters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGIB15B60KD1P

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類(lèi)型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    127μJ(開(kāi)),334μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    30ns/173ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,15A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 19A 52W TO220FP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
7300
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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英瑞芯只做原裝正品!!!
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TO-220-3
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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Infineon
NA
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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樣品可出,原裝現(xiàn)貨
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VISHAY專(zhuān)營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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