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IXGH28N120BD1

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS

IXYS

IXYS Corporation

IXGH28N120BD1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGQ28N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackage ?IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ?Savesspace(two

IXYS

IXYS Corporation

IXGT28N120BD1

HighVoltageIGBTw/Diode

Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS

IXYS

IXYS Corporation

IXGH45N120

IXYS
TO-247

IXYS

IXYS Corporation

上傳：深圳市卓越微芯電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH28N120BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，28A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/210ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，28A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 250W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXGH28N120BD1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 9:06:00

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