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K4B2G0846D-HYF8中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
K4B2G0846D-HYF8 |
功能描述 | 2Gb D-die DDR3L SDRAM |
文件大小 |
1.74964 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
64 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
SAMSUNG【三星】 |
中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-24 17:59:00 |
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K4B2G0846D-HYF8規(guī)格書詳情
The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .
產(chǎn)品屬性
- 型號:
K4B2G0846D-HYF8
- 制造商:
SAMSUNG
- 制造商全稱:
Samsung semiconductor
- 功能描述:
2Gb D-die DDR3L SDRAM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Samsung |
24+ |
BGA |
20000 |
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅?。?/div> |
詢價 | ||
SAMSUNG |
1844+ |
BGA |
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詢價 | ||
SAMSUNG(三星) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
SAMSUNG |
2020+ |
BGA78 |
393 |
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詢價 | ||
SAMSUNG/三星 |
2223+ |
BGA78 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA/ |
1341 |
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SAMSUNG |
25+23+ |
1222 |
54321 |
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SAMSUNG/三星 |
22+ |
FBGA |
30000 |
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SAMSUNG |
24+ |
FBGA |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
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SAMSUNG/三星 |
23+ |
BGA |
13000 |
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詢價 |