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KSM4N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMB4N80

Greendeviceavailable.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMF4N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MTB4N80E

TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTS

TMOSE-FETHighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP4N80

TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP4N80E

N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP4N80E

TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW4N80

TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW4N80E

TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
KEC品牌
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5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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更多KF4N80F-U/PSF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-24 16:50:00

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