LX5537LQRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
LX5537LQ |
| 參數(shù)屬性 | LX5537LQ 包裝為帶；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC AMP 802.11B/G/N 2.3GHZ-2.7GHZ |
| 功能描述 | InGaP HBT 2.3 - 2.7 GHz Power Amplifier |
| 文件大小 |
112.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-31 16:38:00 |
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LX5537LQ規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The LX5537 is a power amplifier optimized for 802.16e(WiMAX/WiBro) and 802.11b/g/n applications in the 2.3-2.7 GHz frequency range. The PA is implemented as a three-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias, on-chip input matching and output pre-matching.
The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) IC process (MOCVD). It operates with a single positive voltage supply of 3-4.2V, and provides power gain of 31dB and output powers of +23.5dBm at 3.6V and +25 dBm at 4.2V for 2.5 EVM in the 2.5-2.7GHz.
KEYFEATURES
● Advanced InGaP HBT
● 2.3-2.7GHz Operation
● Single-Polarity 3-4.2V Supply
● Power Gain ~ 31 dB or higher
● 23.5 dBm @2.5 EVM /3.6V
● 25 dBm @2.5 EVM /4.2V
● 24.5 dBm @4 EVM /3.6V
● 26 dBm @4 EVM /4.2V
● 22 Efficiency @24.5dBm/3.6V
● Optional 26dB Attenuation
● Complete On-Chip Input Match
● Simple Output Match for Optimal EVM
● Temperature-Compensated On-Chip Output Power Detector with Wide Dynamic Range
● Small Footprint: 3x3mm2
● Low Profile: 0.9mm
APPLICATIONS
● 802.16e WiMAX
● 802.16e WiBro
● 802.11b/g/n
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
LX5537LQ
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
帶
- 頻率：
2.3GHz ~ 2.7GHz
- 增益：
31dB
- 射頻類型：
802.11b/g/n，WiBro，WiMAX
- 電壓 - 供電：
3V ~ 4.2V
- 測試頻率：
2.7GHz
- 描述：
IC AMP 802.11B/G/N 2.3GHZ-2.7GHZ
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC |
23+ |
QFP |
3200 |
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MSC |
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220000 |
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QFN16 |
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MICRO |
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QFN16 |
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