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MC14001UBDR2集成電路(IC)的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MC14001UBDR2 |
參數(shù)屬性 | MC14001UBDR2 封裝/外殼為14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的門反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC |
功能描述 | UB-Suffix Series CMOS Gates |
封裝外殼 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
216.43 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-21 14:48:00 |
人工找貨 | MC14001UBDR2價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
MC14001UBDR2規(guī)格書詳情
MC14001UBDR2屬于集成電路(IC)的門反相器。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MC14001UBDR2門和反相器邏輯柵極和逆變器系列中的產(chǎn)品對單個邏輯信號執(zhí)行基本邏輯運算(例如 AND、NOT、OR 等)。與觸發(fā)器不同,它們不能夠存儲信息,不會對提供給其輸入的信號立即做出響應。雖然早就被集成電路實施形式所取代,以用于實現(xiàn)復雜功能,但分立柵極仍可在僅需要非常簡單邏輯功能的情況下使用。
The UB Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The UB set of CMOS gates are inverting non?buffered functions.
Features
?Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
?Linear and Oscillator Applications
?Capable of Driving Two Low?Power TTL Loads or One Low?Power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range
?Double Diode Protection on All Inputs
?Pin?for?Pin Replacements for Corresponding CD4000 Series UB Suffix Devices
?Pb?Free Packages are Available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
MC14001UBDR2G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 門和反相器
- 系列:
4000B
- 包裝:
卷帶(TR)
- 邏輯類型:
或非門
- 輸入數(shù):
2
- 電壓 - 供電:
3V ~ 18V
- 電流 - 輸出高、低:
3.5mA,8.8mA
- 邏輯電平 - 低:
1V ~ 2.5V
- 邏輯電平 - 高:
4V ~ 12.5V
- 不同 V、最大 CL 時最大傳播延遲:
80ns @ 15V,50pF
- 工作溫度:
-55°C ~ 125°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應商器件封裝:
14-SOIC
- 封裝/外殼:
14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 描述:
IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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