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MMBT3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?ComplementaryNPNType:MMBT3904 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODES

Diodes Incorporated

MMBT3906

GeneralPurposeTransistor(PNP)

PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

MMBT3906

PNPGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBT3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMBT3906

PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?PNPepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=-40V ?CollectorcurrentIC=-200mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

MMBT3906

30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

MMBT3906

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreel

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT3906

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

MMBT3906

SMDGeneralPurposeTransistor(PNP)

Features ?PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications ?RoHScompliance

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

MMBT3906

PNPswitchingtransistor

DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:MMBT3904. FEATURES ?CollectorcurrentcapabilityIC=?200mA ?Collector-emittervoltageVCEO=?40V. APPLICATIONS ?Generalswitchingandamplification.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MCP3906-I/SS

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    集成電路（IC） > 電能計(jì)量

  • 包裝：

    管件

  • 輸入阻抗：

    390 千歐

  • 測(cè)量誤差：

    0.1%

  • 電壓 - I/O 高：

    2.4V

  • 電壓 - I/O 低：

    0.85V

  • 電流 - 供電：

    2.7mA

  • 表計(jì)類型：

    Single Phase

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-SSOP

  • 描述：

    IC ENERGY METERING 24SSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MCP3906-I/SS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 9:00:00

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