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MJD112-1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN拓億芯1部

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  • 廠家型號(hào)：

    MJD112-1G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-251

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-17 17:22:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：MJD112-1G品牌：ON/安森美

全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    MJD112-1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    207.94 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Complementary Darlington Power Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    MJD112-1G

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市拓億芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13510175077

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82777855/0755-82702619

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華康大廈2棟603室

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