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MJD112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MJD112
廠商型號(hào)

MJD112
參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為T(mén)O-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述

TO-251/TO-252-2 Plastic-Encapsulate Transistors
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

109.68 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WINNERJOIN【永而佳】

中文名稱

深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-18 10:39:00
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MJD112規(guī)格書(shū)詳情

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

● Complementary darlington power transistors

dpak for surface mount applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD112-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)晶
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