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MJD112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD112
廠商型號

MJD112
參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

299.08 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-18 9:25:00
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MJD112規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC current gain

? Lead formed for surface mount applications(NO suffix)

? Straight lead(IPAK,“ －I” suffix)

? Built-in a damper diode at E-C

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD112-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SMD
5500
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
 詢價
ON
23+
TO252
65480
詢價
ON
24+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
長電
24+
TO-252
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
 詢價
CJ/長晶
23+
TO-252-2L
360000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
CJ/長電
22+
TO-251
15240
原裝正品
 詢價
MOT
05+
原廠原裝
2940
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
CJ
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
JXND/嘉興南電
24+
TO-252
50000
全新原裝,一手貨源,全場熱賣!
 詢價

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