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MJD31C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD31C
廠商型號(hào)

MJD31C

參數(shù)屬性

MJD31C 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK

功能描述

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

絲印標(biāo)識(shí)

MJD31C

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

230.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-11 10:21:00

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MJD31C規(guī)格書詳情

1. General description

NPN high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

PNP complement: MJD32C

2. Features and benefits

? High thermal power dissipation capability

? High energy efficiency due to less heat generation

? Electrically similar to popular MJD31 series

? Low collector emitter saturation voltage

? Fast switching speeds

3. Applications

? Power management

? Load switch

? Linear mode voltage regulator

? Constant current drive backlighting application

? Motor drive

? Relay replacement

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD31C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A DPAK

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