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MJD32C-13分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD32C-13
廠商型號

MJD32C-13
參數(shù)屬性

MJD32C-13 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3
功能描述

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

125.82 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES【美臺半導(dǎo)體】

中文名稱

美臺半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 22:59:00
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MJD32C-13規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -100V

? IC = -3A high Continuous Collector Current

? ICM = -5A Peak Pulse Current

? Ideal for Power Switching or Amplification Applications

? Complementary NPN Type: MJD31C

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD32C-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 375mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 3A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252-3

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 3A TO252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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