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MMBTH10_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor勝彬電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
MMBTH10
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市勝彬電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
段小姐
- 手機(jī):
18902465585
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83135478
- 傳真:
0755-82780849
- 地址:
深圳市龍華區(qū)觀湖街道鷺湖社區(qū)觀盛五路英飛拓大樓1314
相近型號(hào)
- MMBTH102T1
- MMBTH102T1G
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- MMBTA94LT1
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- MMBTH10L-B-AE3-R
- MMBTA94G
- MMBTH10LT1
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- MMBTA944Z
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- MMBTH10LT1G(3EMN)
- MMBTA94(LRC)
- MMBTH10LT1G/MMBTH10
- MMBTA94
- MMBTH10LT1GIC
- MMBTA93-RTK/P
- MMBTA93-RTK