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MMBTH10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號

MMBTH10
參數(shù)屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

NPN Silicon VHF/UHF Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

130.33 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 SEMTECH ELECTRONICS LTD.
企業(yè)簡稱

SEMTECH_ELEC【先之科半導體】

中文名稱

先之科半導體科技（東莞）有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-15 22:59:00
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MMBTH10規(guī)格書詳情

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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