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MMBTH10分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號

MMBTH10

參數屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

Silicon Epitaxial Planar Transistor

絲印標識

3EM

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

196.84 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀微電子股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-15 22:59:00

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產品屬性

  • 產品編號:

    MMBTH10

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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