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MRF6V12250HS

Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V

RF Power transistors, MRF6V12250HR3 and MRF6V12250HSR3, are designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.; ? Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA, Pout = 275 Watts Peak (27.5 W Avg.), f = 1030 MHz, Pulse Width = 128 μsec, Duty Cycle = 10% Power Gain: 20.3 dBDrain Efficiency: 65.5%\n? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 275 Watts Peak Power\n? Typical Broadband P;

恩XP

恩XP

MRF6V12250HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

freescale

MRF6V12250HSR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

恩XP

恩XP

MRF6V12250HS

FREESCALE
高頻管

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

上傳：深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

freescale

MRF6VP3450HR6

FREESCALE
高頻管

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

上傳：深圳市昊創(chuàng)電子有限公司

freescale

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MRF6V12250HS

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780HS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
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高頻管
500
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NI-780S
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 詢價(jià)
更多MRF6V12250HS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 13:01:00

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