MSM5118160F-60T3K-MT_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-Rohm Semiconductor

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  • 廠家型號(hào):

    MSM5118160F-60T3K-MT

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 更新時(shí)間:

    2025-7-20 13:52:00

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原廠料號(hào):MSM5118160F-60T3K-MT品牌:Rohm Semiconductor

資料說明:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP

MSM5118160F-60T3K-MT是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝的MSM5118160F-60T3K-MT存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    msm5118160f-60t3k-mt

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 資料說明:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MSM5118160F-60T3K-MT

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    DRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP

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