MT29E6T08ETHBBM5-3:B_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-美光科技

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原廠料號(hào):MT29E6T08ETHBBM5-3:B品牌:Micron Technology Inc.

資料說(shuō)明:IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

MT29E6T08ETHBBM5-3:B是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝的MT29E6T08ETHBBM5-3:B存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    mt29e6t08ethbbm5-3:b

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Elpida Memory

  • 中文名稱:

    美光科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MT29E6T08ETHBBM5-3

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    6Tb(768G x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 描述:

    IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MICRON/美光
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