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MT47H256M4CF-25E:H

Package：60-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT47H256M4CF-25E:H TR

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT47H256M4CF-25EAT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT47H256M4CF-25EIT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT47H256M4CF-25EL

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT47H256M4CF-25IT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT47H256M4CF-25L

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT47H256M4CF-25E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（256M x 4）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-FBGA（8x10）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
micron(鎂光)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16048
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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更多MT47H256M4CF-25E:H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-23 11:15:00

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