首頁>NAND01GW3B2CN6E>詳情

NAND01GW3B2CN6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    NAND01GW3B2CN6E

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST/NUMONYX

  • 庫存數(shù)量：

    3832

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA/

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-24 10:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NAND01GW3B2CN6E品牌：ST/NUMONYX

優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票

  • 芯片型號：

    NAND01GW3B2CN6E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    62 頁

  • 文件大小：

    711.53 kb

  • 資料說明：

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GW3B2CN6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層

相近型號