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NE3509M04-T2-A_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET華斯頓科技

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1+
  • 廠家型號：

    NE3509M04-T2-A

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    NEC

  • 庫存數量：

    48051

  • 產品封裝：

    SOT-343

  • 生產批號：

    25+23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-5-31 19:34:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3509M04-T2-A品牌：NEC

絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    NE3509M04-T2-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內容頁數：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    1277.17 kb

  • 資料說明：

    L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NE3509M04-T2-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機：

    13925279453

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強北新亞洲電子市場3B047展銷柜

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