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NESG2101M05-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2101M05-T1
廠商型號(hào)

NESG2101M05-T1

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

文件大小

172.81 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 13:00:00

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NESG2101M05-T1規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2101M05-T1

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
SOT343
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
20000
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅??!
詢價(jià)
NEC
2023+
SC70-4
1800
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
18560
假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)工廠客戶可放款
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
50000
原裝正品 支持實(shí)單
詢價(jià)
NEC
19+
SOT343
20000
3504
詢價(jià)
CEL
新年份
SOT-343
15000
原裝正品大量現(xiàn)貨,要多可發(fā)貨,實(shí)單帶接受價(jià)來談!
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
24+
SOT-343
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
RENESAS
21+
SOT-23
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)