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NGTB10N60FG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
NGTB10N60FG |
參數(shù)屬性 | NGTB10N60FG 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A TO220F3 |
功能描述 | N-Channel IGBT |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
406.03 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-21 14:18:00 |
人工找貨 | NGTB10N60FG價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGTB10N60FG規(guī)格書詳情
NGTB10N60FG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB10N60FG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NGTB10N60FG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
散裝
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,10A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
40ns/145ns
- 測(cè)試條件:
300V,10A,30 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220F-3FS
- 描述:
IGBT 600V 10A TO220F3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
2511 |
8484 |
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | |||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220F |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特價(jià)NGTB10N60FG即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO220F |
12800 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
ON |
15+ |
TO-220F |
33 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
2025+ |
55740 |
詢價(jià) | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
942 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2023+ |
TO-220F |
8635 |
一級(jí)代理優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,全新正品直營(yíng)店 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) |