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NP40N10VDF-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ?RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ?RDS(on

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP40N10VDF-E2-AY

100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP40N10VDF-E2-AY

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NP40N10VDF-E2-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    40A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS
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RENESAS/瑞薩
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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更多NP40N10VDF-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-12 17:20:00