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NSBC113EDXV6T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563高捷芯城

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  • 廠家型號(hào)：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3727

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-563

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-29 16:13:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NSBC113EDXV6T1G品牌：onsemi(安森美)

原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)

  • 芯片型號(hào)：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    145.21 kb

  • 資料說明：

    Dual NPN Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 功能描述：

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    3,000

  • 晶體管類型：

    1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    70mA，100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)（歐）：

    47k，2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)（歐）：

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：

    70 @ 5mA，5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    300mV @ 500µA，10mA 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz，200MHz 功率 -

  • 最大：

    250mW

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PG-SOT363-6

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    SP000784046

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    高捷芯城-敏敏

  • 手機(jī)：

    13378405761

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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