NSS35200MR6T1G_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-安森美半導體

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原廠料號:NSS35200MR6T1G品牌:onsemi

資料說明:TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

NSS35200MR6T1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝SOT-23-6 細型,TSOT-23-6的NSS35200MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

  • 芯片型號:

    nss35200mr6t1g

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 資料說明:

    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NSS35200MR6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    310mV @ 20mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1.5A,1.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

  • 供應商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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