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NTBG020N090SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NTBG020N090SC1_V01
廠商型號(hào)

NTBG020N090SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

文件大小

325.98 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-22 9:31:00

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NTBG020N090SC1_V01規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

? Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 295 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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