NTH4L022N120M3S中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L022N120M3S
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L
文件大小	314.02 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導體】
中文名稱	安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-5-7 16:01:00
人工找貨	NTH4L022N120M3S價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

? Low Switching Losses (Typ. EON 490 J at 40 A, 800 V)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? UPS (Uninterruptible Power Supplies)

? Energy Storage Systems

? SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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