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NTH4L022N120M3S_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTH4L022N120M3S_V01
廠商型號(hào)

NTH4L022N120M3S_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L

文件大小

314.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-7 16:01:00

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NTH4L022N120M3S_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

? Low Switching Losses (Typ. EON 490 J at 40 A, 800 V)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? UPS (Uninterruptible Power Supplies)

? Energy Storage Systems

? SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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