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NTH4L160N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=160m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NTH4L160N120SC1_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-5 14:16:00

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