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NTLUD3A260PZTAG_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M中天科工一部

NTLUD3A260PZTAG

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  • 廠家型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    32360

  • 產(chǎn)品封裝：

    DFN

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-20 14:13:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NTLUD3A260PZTAG品牌：ONSEMI/安森美

ONSEMI/安森美全新特價(jià)NTLUD3A260PZTAG即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大小：

    112.67 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P??hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

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