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NTMFD0D9N02P1E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

NTMFD0D9N02P1E
廠商型號

NTMFD0D9N02P1E

參數(shù)屬性

NTMFD0D9N02P1E 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產品描述:PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

功能描述

MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, Power Trench, Power Clip, Asymmetric
PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

絲印標識

2EGN

封裝外殼

PQFN8

文件大小

510.25 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-21 23:14:00

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NTMFD0D9N02P1E規(guī)格書詳情

NTMFD0D9N02P1E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導體公司制造生產的NTMFD0D9N02P1E晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NTMFD0D9N02P1E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內
1983
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onsemi(安森美)
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