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NTMFD4C50N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NTMFD4C50N
廠商型號(hào)

NTMFD4C50N
參數(shù)屬性

NTMFD4C50N 封裝/外殼為8-PowerTDFN；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
封裝外殼

8-PowerTDFN
文件大小

125.87 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-22 23:46:00
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NTMFD4C50N規(guī)格書詳情

NTMFD4C50N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NTMFD4C50N晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NTMFD4C50NT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    12A（Ta）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道-非對(duì)稱）

  • 封裝/外殼：

    8-PowerTDFN

  • 描述：

    MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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