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NX3008PBKV

30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET; ? Very fast switching\n? Low threshold voltage\n? Trench MOSFET technology\n? ESD protection up to 2 kV\n? AEC-Q101 qualified\n;

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導體(中國)有限公司

NX3008PBKV

絲印：NX3008PBKV；Package：SOT666；30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET

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安世安世半導體(中國)有限公司

NX3008PBKV_15

30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

NX3008PBKW

30V,200mAP-channelTrenchMOSFET

1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDpr

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安世安世半導體(中國)有限公司

NX3008PBKW

20VP-ChannelMOSFET

Application ?InterfacingSwitching ?Portableequipmentandbattery LoadSwitch

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

OL-3008

T-1Sub-MidgetFlanged

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

PB3008

EnhancedPowerBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PB3008

EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PB3008

EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers

FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) ?Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package ?Superiorthermalconductivity ?Glasspassivatedchipjunction ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompli

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PCM3008

ANALOGINPUT/OUTPUTSTEREOAUDIOCODEC

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SOT666

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    2

  • VDS [max] (V)：

    -30

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    4100

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    6500

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    2000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -0.22

  • QGD [typ] (nC)：

    0.09

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    0.55

  • Ptot [max] (W)：

    0.33

  • VGSth [typ] (V)：

    -0.9

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    31.000002

  • Coss [typ] (pF)：

    6.5

  • Release date：

    2011-07-19

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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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更多NX3008PBKV供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 23:00:00

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