首頁>NXH80B120MNQ0SNG>規(guī)格書詳情
NXH80B120MNQ0SNG分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH80B120MNQ0SNG |
| 參數(shù)屬性 | NXH80B120MNQ0SNG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Dual Boost Power Module |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | Q0BOOST / 模塊 |
| 文件大小 |
763.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-17 22:59:00 |
| 人工找貨 | NXH80B120MNQ0SNG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
相關芯片規(guī)格書
更多- NXH80B120H2Q0SG
- NXH80B120L2Q0
- NXH80B120H2Q0
- NXH80B120H2Q0SG
- NXH80B120H2Q0SNG
- NXH80B120L2Q0SG
- NXH80B120L2Q0SNG
- NXH75M65L4Q1SG
- NXH800A100L4Q2F2P1G
- NXH800A100L4Q2F2P1G
- NXH800A100L4Q2F2P2G
- NXH800A100L4Q2F2P2G
- NXH800A100L4Q2F2S1G
- NXH800A100L4Q2F2S1G
- NXH800A100L4Q2F2S1G_V01
- NXH800A100L4Q2F2S2G
- NXH800A100L4Q2F2S2G
- NXH800H120L7QDSG
NXH80B120MNQ0SNG規(guī)格書詳情
NXH80B120MNQ0SNG屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
雙路升壓斬波器
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | |||
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
ON |
22+ |
MODULE |
117 |
絕對真實庫存 原裝正品 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
原廠原封 |
24 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價 | ||
onsemi |
25+ |
模塊 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
ON |
1922 |
40 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | |||
ON Semiconductor |
22+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
2021+ |
- |
499 |
詢價 | |||
onsemi |
兩年內 |
NA |
24 |
實單價格可談 |
詢價 |
