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PBSS4032NX分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4032NX
廠商型號

PBSS4032NX
參數(shù)屬性

PBSS4032NX 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 30V 4.7A SOT89
功能描述

30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
絲印標識

6H
封裝外殼

SC-62 / TO-243AA
文件大小

744.55 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-12 16:43:00
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PBSS4032NX規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS4032PX.

Features and benefits

■ Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High energy efficiency due to less heat generation

■ AEC-Q101 qualified

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

產品屬性

  • 產品編號：

    PBSS4032NX,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    340mV @ 270mA，5.4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    145MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 4.7A SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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