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PBSS4160PANP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS4160PANP
廠商型號

PBSS4160PANP

功能描述

60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

2M

封裝外殼

DFN2020-6

文件大小

337.41 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 10:32:00

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PBSS4160PANP規(guī)格書詳情

1. General description

NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power

DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PBSS4160PAN. PNP/PNP complement: PBSS5160PAP.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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